采用PLC+彩色触摸屏构成完善的HMI(人机界面系统);一方面通过以太网或DP通讯方式实现和用户上位机的通讯控制,另一方面可实现电源系统的自动逻辑控制、故障显示与故障诊断功能。
IGBT固态高频感应加热设备 IGBT固态高频感应加热电源采用逆变侧4分时控制技术,结构紧凑、直流电压可高达650V,特别适合大功率高频应用领域,适用于钢管焊接、钎焊、热装配、涂覆烘干、淬火、回火、退火、正火、调质及金属氧化物熔炼等热加工、热处理工艺。
IGBT固态高频感应加热电源采用逆变侧4分时控制技术,结构紧凑、直流电压可高达650V,特别适合大功率高频应用领域,适用于钢管焊接、钎焊、热装配、涂覆烘干、淬火、回火、退火、正火、调质及金属氧化物熔炼等热加工、热处理工艺。
Si-MOSFET固态高频感应加热设备 采用新型一体化逆变功率单元,结构简洁可靠,便于维护;铝嵌铜管散热板可确保散热效果良好、PCB高频吸收电容板可保证优异的吸收效果;Si-MOSFET和快恢复二极管采用IXYS公司的大功率模块。
采用新型一体化逆变功率单元,结构简洁可靠,便于维护;铝嵌铜管散热板可确保散热效果良好、PCB高频吸收电容板可保证优异的吸收效果;Si-MOSFET和快恢复二极管采用IXYS公司的大功率模块。
SiC-MOSFET固态高频感应加热设备 SiC-MOSFET固态高频感应加热电源采用交-直-交变频结构,整流器可采用三相6脉波晶闸管整流、二极管整流+IGBT直流斩波、12脉波晶闸管整流三种结构,以满足用户的不同需求或不同的功率等级;逆变器采用SEMIQ公司的高压大功率SiC-MOSFET模块构成全桥串联谐振逆变器;逆变输出通过高效铁氧体匹配变压器完成功率合成、负载阻抗匹配和电气隔离;谐振槽路采用水冷聚丙烯薄膜电容构成串联谐振电路。
SiC-MOSFET固态高频感应加热电源采用交-直-交变频结构,整流器可采用三相6脉波晶闸管整流、二极管整流+IGBT直流斩波、12脉波晶闸管整流三种结构,以满足用户的不同需求或不同的功率等级;逆变器采用SEMIQ公司的高压大功率SiC-MOSFET模块构成全桥串联谐振逆变器;逆变输出通过高效铁氧体匹配变压器完成功率合成、负载阻抗匹配和电气隔离;谐振槽路采用水冷聚丙烯薄膜电容构成串联谐振电路。
IGBT固态中频/超音频感应加热设备 IGBT中频/超音频感应加热设备,采用交-直-交变频电源结构,高压大功率IGBT模块构成串/并联谐振型逆变器。整流器可采用三相6脉波晶闸管整流、二极管整流+IGBT直流斩波、12脉波晶闸管整流三种结构。具有完善的过压、过流、失锁、温度、水流量等保护功能,运行可靠、故障率低。
IGBT中频/超音频感应加热设备,采用交-直-交变频电源结构,高压大功率IGBT模块构成串/并联谐振型逆变器。整流器可采用三相6脉波晶闸管整流、二极管整流+IGBT直流斩波、12脉波晶闸管整流三种结构。具有完善的过压、过流、失锁、温度、水流量等保护功能,运行可靠、故障率低。
电子管高频感应加热设备 电子管高频电源,目前在频率大于1MHz或其他特殊应用领域,仍具有不可替代的地位和广泛的应用。全数字交流调压控制技术,确保交流侧三相平衡对称,网测非特征次谐波含量小、网侧功率因数高。电子管自激振荡回路采用优化设计,振荡稳定、效率高,无寄生振荡,可适用于超高频率感应加热领域。
电子管高频电源,目前在频率大于1MHz或其他特殊应用领域,仍具有不可替代的地位和广泛的应用。全数字交流调压控制技术,确保交流侧三相平衡对称,网测非特征次谐波含量小、网侧功率因数高。电子管自激振荡回路采用优化设计,振荡稳定、效率高,无寄生振荡,可适用于超高频率感应加热领域。
SCR晶闸管中频感应加热设备 中频感应加热设备,采用可控硅中频感应加热电源采用交-直-交变频电源结构,水冷高压大功率快速晶闸管桥组构成谐振型逆变器,逆变锁相电路采用全数字控制技术,高标准电磁兼容设计,紧凑型、模块化设计便于用户维护和维修。
中频感应加热设备,采用可控硅中频感应加热电源采用交-直-交变频电源结构,水冷高压大功率快速晶闸管桥组构成谐振型逆变器,逆变锁相电路采用全数字控制技术,高标准电磁兼容设计,紧凑型、模块化设计便于用户维护和维修。